• “面向應用的”P型HPGe探測器針對特定樣品類型、伽馬能量范圍和測量幾何形狀進行了優(yōu)化。
• 在購買之前請先了解新HPGe探測器的性能！
• 計數(shù)幾何形狀可提供給定IEEE標準相對效率的效率。
• 穩(wěn)定的薄前接觸面，如果在室溫條件下存放，不會產生前死層增長（PROFILE GEM S、SP和C系列）。
• 保證的晶體尺寸確保了測量性能。
• 可重現(xiàn)的尺寸意味著可重現(xiàn)的性能... 無一例外。
• 全系列PopTop低溫恒溫器和選件。

ORTEC PROFILE系列P型高純鍺（HPGe）探測器可提供特定的晶體尺寸，您可以從中選擇您應用的解決方案。為了幫助您確定相對效率與晶體尺寸之間的關系，我們提供了標稱相對效率規(guī)格。分辨率根據(jù)IEEE標準測量。如果ORTEC探測器庫存清單中有特定的PROFILE系列探測器，則可在購買前檢查實際測量的規(guī)格。

F系列PROFILE GEM探測器
F系列PROFILE探測器采用“超方形”（直徑>長度）同軸結構。這種晶體幾何形狀通常被稱為半平面結構。對于給定的相對（IEEE）效率，F(xiàn)系列實現(xiàn)了對鍺材料的“利用”，它可為直接位于端蓋或“靠近幾何位置”的體源樣品提供計數(shù)效率，例如：

• 在端蓋頂端的點源
• 在端蓋頂端的濾紙樣品
• 在端蓋頂端的瓶子和罐子的樣品
• 保健無力分析應用（例如，肺部監(jiān)測）
• 廢物桶監(jiān)測

此外，超方形幾何結構有助于通過降低晶體電容來改善低能量分辨率問題。

S系列PROFILE GEM探測器

• 具有超薄、穩(wěn)定入射窗口，同時具有F系列PROFILE探測器的所有優(yōu)點。
• 出色的性能保證。
• 低至3 keV能量下的出色靈敏度。
• 在室溫條件下長期存放，不會降低探測器的性能。

S系列PROFILE GEM探測器采用平面晶體幾何結構和專有的超薄穩(wěn)定入射窗口，可提高低能效率。S系列入射窗口將有用能量范圍擴展至3 keV及以下，同時保持了PROFILE系列的出色峰形和分辨率特性。

SP系列PROFILE GEM探測器

• 具有專有低噪聲后接觸面，同時具有所有F系列和S系列PROFILE探測器的所有優(yōu)點。
• 出色的分辨率性能。

平面SP系列PROFILE GEM探測器除了采用S系列和C系列的專有超薄穩(wěn)定入射窗口外，還使用了低噪聲后接觸級。與S系列一樣，如果在室溫條件下存放，前接觸面依然可以在低能量下提供出色的透射率，并且不會因入射窗口損失效率。SP系列探測器的之處在于具有專門的后接觸面，可在低能量下顯著提高探測器分辨率。

選擇F系列、S系列或SP系列PROFILE GEM探測器的一般指南
對于直接放置在端蓋上的樣品，探測器直徑應超過樣品直徑的20％或更多。如果超過30％，效率增加則不明顯。另外，如果探測器直徑超過樣品直徑20％或更多，則由樣品位置的不可再現(xiàn)性引起的誤差將會最小。

如果有預算限制，則首先選擇直徑的探測器。選擇更厚的探測器將進一步提高效率，特別是在更高的能量下更是如此。對于以類似于上述幾何形狀的樣品，選擇直徑比樣品大20％（或更多）的F系列PROFILE探測器，可確保給定相對（IEEE）效率的大化。選擇直徑比樣品大20％（或更多）的S系列PROFILE探測器，可確保在3至50 keV的較低能量下具有的效率。如果應用或情況需要在室溫環(huán)境中長時間存放探測器，則選擇S系列PROFILE探測器可保持優(yōu)異的性能，并且在低能量范圍內性能不會得到降低。與具有相同相對效率的較長、較小直徑的探測器相比，超方形探測器通?？梢詫崿F(xiàn)更好的低能量分辨率。

選擇SP系列PROFILE探測器，可在低能量和中能量下實現(xiàn)的分辨率性能。高分辨率優(yōu)勢對于多核素（多峰）識別的應用至關重要。更好的分辨率可提高峰值定位算法的性能，從而減少誤報和雙峰。SP系列PROFILE探測器的提供更好分辨率性能意味著改善的信噪比，這同時也意味著更低的最小可探測活度（MDA）和更短的計數(shù)時間。

需要注意的是, 最小的S系列探測器(GEM-S5020 、 GEM-S5825) 和所有的 GEM-SP 探測器都是為了低計數(shù)率相關應用設計的。

M系列PROFILE GEM探測器
M系列探測器設計用于Marinelli杯，以提供解決方案和效率。M系列探測器可提供與GEM系列探測器相同的分辨率和更高的效率（低于50 keV），提供比GMX系列探測器更高的分辨率但效率略低（低于50 keV）。這些在端蓋直徑“填滿晶體”，并且長度略大于直徑的情況下測得。Marinelli杯的總體效率被。這是見的樣品杯，其中井直徑等于其長度。此外，對于給定的相對（IEEE）效率，M系列實現(xiàn)了對鍺材料的“利用”，具有比F、S或SP系列更高的能量范圍要求，可為直接放置在端蓋頂面的體源樣品提供計數(shù)效率，例如：

• 在端蓋頂端的點源
• 在端蓋頂端的濾紙樣品
• 在端蓋頂端的瓶子和罐子樣品
• 廢物桶監(jiān)測

C系列PROFILE GEM探測器
C系列探測器具有M系列探測器的所有優(yōu)點，并結合了超薄、穩(wěn)定的入射窗口。這將可用能量擴展至3 keV，同時保持了較高能量下的效率。除了測量241Am和210Pb等核素外，還可為更高能量的發(fā)射體提供優(yōu)異的效率；所有這一切都可在一個探測器中完成。其中的探測器可提供單個探測器在能量大于3 MeV下所擁有的效率。

選擇M系列或C系列PROFILE GEM探測器的一般指南
選擇用于特定Marinelli杯的M系列或C系列探測器非常簡單：只需選擇最貼合Marinelli杯井直徑的探測器即可！

F系列、S系列或SP系列探測器適合Marinelli的幾何結構，它們具有更好的分辨率性能，但效率低于相同直徑的M系列或C系列探測器。相應地，在端蓋頂端測量的幾何條件中，M或C系列探測器可以代替F、S或SP系列探測器。對于相同的直徑，M系列或C系列可提供稍高的效率（隨著能量的增加而增加）。

集成低溫冷卻系統(tǒng)選件（-ICS-E）
集成低溫冷卻系統(tǒng)（ICS）低溫恒溫器配備有低溫冷卻器，不受回溫循環(huán)的影響。與使用標準型低溫恒溫器探測器的三天典型損失不同，ICS可以立即重新冷卻，限度地減少因臨時預熱而損失的任何時間。用于PROFILE系列探測器的ICS包括一個外部前置放大器。

SMART-1選件 (-SMP)
SMART-1選件用于監(jiān)控和報告重要的系統(tǒng)功能，還可保存驗證碼并在稍后報告該驗證碼。它包括高壓，因此所有儀器都不需要外部高壓電源。SMART-1采用堅固的ABS模塑塑料外殼，并通過模塑密封電纜牢牢地固定在探測器端蓋上。這可避免探測器因水泄漏到高壓連接器中而受到嚴重損壞。SMART-1可以放置在任何方便使用的位置，不會干擾屏蔽罩或其他硬件。

超高計數(shù)率前置放大器選件（-PL）
超高計數(shù)率前置放大器（晶體管復位前置放大器）可在1 MeV下處理高達1,000,000個計數(shù)/秒的輸入計數(shù)率，并具有無反饋電阻的額外優(yōu)勢。

惡劣環(huán)境選件（-HE）
惡劣環(huán)境選件是一個堅固的碳纖維端蓋，配有密封的電子設備外殼，并帶有可更換的干燥劑，用以確保電子設備保持100％干燥，并帶有指示何時需要更換干燥劑包。直徑為76 mm或更大PopTop封裝設計中的PROFILE系列探測器可配備此選件。

遠程前置放大器選件（-HJ）
此選件讓所有前置放大器和高壓接頭位于屏蔽之外，并將前置放大器和高壓濾波器從Ge晶體的“視線”移開。對于低本底應用，此選件消除了屏蔽罩內部的任何可能增加本底的前置放大器或高壓濾波器組件。

鈹窗選件（-B）
提高了3至5 keV之間的性能。

低本底碳纖維端蓋選件（-RB、-LB-C和-XLB-C）
低背景碳纖維端蓋與Al、Mg和Cu一樣堅固，產生的本底少，不腐蝕，并且可以檢測低于10 keV的能量。這種較低本底的材料可在特定計數(shù)時間內降低最小可探測活度（MDA），這為在低本底計數(shù)應用中增加樣品通量提供了另一種方法。碳纖維的較低Z值可提供低能量窗口，而不會產生在大多數(shù)合金中發(fā)現(xiàn)的額外本底。